New 250-V N-Channel TrenchFET(R) Power MOSFETs

Vishay's New 250-V N-Channel TrenchFET® Power MOSFETs Offer Up to 50% Improved On-Resistance in SO-8 and D2PAK Footprints
SANTA CLARA, CALIFORNIA — January 28, 2004 — Siliconix incorporated (NASDAQ: SILI), an 80.4%-owned subsidiary of Vishay Intertechnology, Inc. (NYSE: VSH), today released a trio of 250-V n-channel TrenchFET® power MOSFETs that offer the lowest on-resistance available in the SO-8, PowerPAK® SO-8, and D2PAK packages for this voltage rating.

The Si4434DY (LITTLE FOOT® SO-8), Si7434DP (PowerPAK SO-8), and SUM45N25-58 (D2PAK) are designed to serve as primary switches in dc to dc converters, including forward converters and half-bridge converters, as well as in ac-to-dc converters and inverters, for telecom power supplies, distributed architectures, and miniature power modules.

The new devices offer greatly improved on-resistance values compared with competing devices of the same size. The Si4434DY and Si7434DP both feature a maximum on-resistance value of 155 mΩ at a 10-V gate drive and typical gate charge value of 34 nC. In the low-thermal-resistance D2PAK package, the SUM45N25-58 features on-resistance on 58 mΩ, a gate charge value of 95 nC, and a maximum junction temperature rating of 175 °C.

Samples and production quantities of the 250 V Si4434DY, Si7434DP, and SUM45N25-58 n-channel power MOSFETs are available now, with lead times of 10 to 12 weeks for larger orders.

Siliconix is a leading manufacturer of power MOSFETs, power ICs, analog switches, and multiplexers for computers, cell phones, fixed communications networks, automobiles, and other consumer and industrial electronic systems. With 2002 worldwide sales of $372.9 million, the Company's facilities include a Class 1 wafer fab dedicated to the manufacture of power products in Santa Clara, California, and an affiliated Class 1 wafer fab located in Itzehoe, Germany. The Company's products are also fabricated by subcontractors in Japan, Germany, China, and Taiwan. Assembly and test facilities include a company-owned facility in Taiwan, a joint venture in Shanghai, China, and subcontractors in the Philippines, China, Taiwan, Israel, and the United States.


Vishay Intertechnology, Inc., a Fortune 1,000 Company listed on the NYSE (VSH), is one of the world's largest manufacturers of discrete semiconductors (diodes, rectifiers, MOSFETs, optoelectronics, and selected ICs) and passive electronic components (resistors, capacitors, inductors, sensors, and transducers). These components are used in virtually all types of electronic devices and equipment, in the industrial, computing, automotive, consumer, telecommunications, military, aerospace, and medical markets. Its product innovations, successful acquisition strategy, and "one-stop shop" service have made Vishay a global industry leader. Vishay can be found on the Internet at http://www.vishay.com

Asignatura: EES.
Alumno: Juan José Núñez Ceballos
Fuente: http://www.vishay.com/company/press/releases/2004/040128mosfets/
Reflexión: Como no amar a Dios con tanta bendición que quiere dar... [Jn14:15] Él te dará el perdòn a todos tus pecados y su Santo Espíritu cuando obedezcas su Evangelio(Lo dice la Biblia, no yo!!!).

Siliconix Targets Automotive 12-V Boardnet With New P-Channel -40-V and -60-V TrenchFET(R) Power MOSFETs

Up to 90% Lower On-Resistance Than Industry's Next-Best Devices.

SANTA CLARA, CALIFORNIA — March 29, 2004 — Automotive 12-V boardnet high-side switches and electric motor drives are the target applications for a record-setting family of p-channel MOSFETs announced today by Siliconix incorporated (NASDAQ: SILI), an 80.4%-owned subsidiary of Vishay Intertechnology, Inc. (NYSE: VSH).

The new −40-V and −60-V devices are the first with these breakdown voltage ratings to be built using Vishay's advanced p-channel technology, which reduces MOSFET on-resistance to record-low levels. Maximum rDS(on) ratings range from 15 mΩ down to 4.2.mΩ for the six devices released today.

Because p-channel MOSFETs require no additional high-side driver circuitry for turn-on, these new −40-V and −60-V TrenchFETs will help designers to reduce component count and improve reliability in automotive and industrial systems compared with n-channel solutions.

When used to replace previous-generation p-channel devices, the new TrenchFETs give designers the opportunity to lower system power consumption as well. Compared with the next-best p-channel MOSFETs on the market with the same voltage ratings and package outlines, conduction losses for the new devices are reduced by up to 90%.

Package options for the −40-V devices are the standard DPAK (SUD50P04-09L), the thermally enhanced D2PAK (SUM110P04-04L), and the lead-less, 1.07 mm-high PowerPAK® SO-8 (Si7463DP). The −60-V TrenchFETs also are offered in the DPAK (SUD50P06-15L), the thermally enhanced D2PAK (SUM110P06-07L), and PowerPAK SO-8 (Si7461DP). The DPAK and D2PAK devices are rated for a maximum junction temperature of 175 °C, while the PowerPAK SO-8 TrenchFETs are rated for up to 150 °C.

Summary of Device Specifications

Samples and production quantities of the new p-channel TrenchFET power MOSFETS are available now with lead times of 10 to 12 weeks for larger orders.

Vishay Intertechnology, Inc., a Fortune 1,000 Company listed on the NYSE (VSH), is one of the world's largest manufacturers of discrete semiconductors (diodes, rectifiers, MOSFETs, optoelectronics, and selected ICs) and passive electronic components (resistors, capacitors, inductors, sensors, and transducers). These components are used in virtually all types of electronic devices and equipment, in the industrial, computing, automotive, consumer, telecommunications, military, aerospace, and medical markets. Its product innovations, successful acquisition strategy, and "one-stop shop" service have made Vishay a global industry leader. Vishay can be found on the Internet at http://www.vishay.com.

Asignatura: EES.
Alumno: Juan José Núñez Ceballos
Fuente: http://www.vishay.com/company/press/releases/2004/040329mosfets/
Reflexión: Sin embargo comenzaremos a alcanzar la sabiduría dívina(celestial, del cielo) cuando comencemos a temer(respetar, honrar, obedecer) a Dios[Pr1:7] y la salvaciòn cuando creamos y obedezcamos el Evangelio de Cristo[Mr16:15-16] ambos puntos deben ir de la mano.

New TrenchFET(R) MOSFETs Break Performance Records in Tiny LITTLE FOOT(R) SC-89 and SC-75 Packages

SANTA CLARA, CALIFORNIA-May 24, 2001-A series of new TrenchFETs that set records for on-resistance in the tiny LITTLE FOOT® SC-89 and SC-75 packages were announced today by Siliconix incorporated (NASDAQ: SILI), an 80.4%-owned subsidiary of Vishay Intertechnology (NYSE: VSH). The smallest MOSFETs on the market, the new devices will serve as a power-efficient replacement for the digital bipolar transistors used for simple or light-load switching in portable communications systems, computer motherboards, power supply converter circuits, and battery-operated equipment.

Devices in the 3-pin LITTLE FOOT SC-89, with a footprint area measuring 1.6 mm by 1.6 mm and a height profile of just 0.6-mm, include the Si1012X, a single n-channel 20-V TrenchFET with on-resistance of just 1.25 ohms at a 1.8-V gate drive-76% lower than any competing device in the same

Fully on at a gate-source voltage of 1.8 V, the Si1012X requires significantly less power to operate than the digital bipolar transistors it will replace. The new device further improves on existing industry standards with a 500-mA steady state continuous drain current (TA=25°C) that offers an improvement of as much as 66% over competing devices, making it suitable for a wide range of low supply voltage applications. A 5-ns turn-on time, which lowers circuit timing delays, also sets a record for this package type and is nearly four times faster than the nearest competitor.

Also released today was a dual-channel version of the same device. The new Si1024X combines two MOSFETs in a 6-pin LITTLE FOOT SC-89 package with the same specifications per channel as the Si1012X and the same footprint and height profile as the 3-pin SC-89.

With a height profile that is 45% thinner than the SOT-23 and SC-70 formats, the new SC-89 LITTLE FOOT MOSFETs allow small to medium loads to be switched with maximum efficiency in even the thinnest mobile communications and computing products.

Along with the Si1012X and Si1024X, Vishay Siliconix will soon release more than a dozen additional 20-V MOSFETs in the SC-89 and SC-75 packages, including n- and p-channel devices. Maximum on-resistance ratings for these devices will range from 0.7 Ω to 9 Ω at a gate-source voltage of ±4.5 V. All devices in both package types feature ESD protection to reduce the risk of electrostatic damage during handling.

Samples of the Si1012X and Si1024X are available now. Production quantities will be available in Q1 2001, with lead times of four weeks for larger orders.


Vishay Intertechnology, Inc., a Fortune 1,000 Company listed on the NYSE (VSH), is one of the world's largest manufacturers of discrete semiconductors (diodes, rectifiers, MOSFETs, optoelectronics, and selected ICs) and passive electronic components (resistors, capacitors, inductors, sensors, and transducers). These components are used in virtually all types of electronic devices and equipment, in the industrial, computing, automotive, consumer, telecommunications, military, aerospace, and medical markets. Its product innovations, successful acquisition strategy, and "one-stop shop" service have made Vishay a global industry leader. Vishay can be found on the Internet at http://www.vishay.com.

Asignatura: EES.
Alumno: Juan José Núñez Ceballos
Fuente: http://www.vishay.com/company/press/releases/2001/010524trenchfet/
Reflexión: A veces resulta un poco difícil confiar de lleno en lo que dicen la Santa Palabra al ver tanta manipulaciòn de estas, fraudes, interpretaciones, pero se hace notorio entender que estas no se interpretan [2Pe1:20]

Co-packaged MOSFET s reduce space, deliver performance

Key Benefits
• High- and low-side MOSFETs in one compact 6-mm x 3.7-mm package
• On-resistance down to 5.8 mΩ
• Maximum current up to > 17 A
• Lowers solution space and cost compared to two discrete MOSFETs, saving
clearance and labeling space
• Simplifies layout
• Reduces parasitic inductance from PCB traces, increasing efficiency and reducing
ringing
APPLICATIONS
• System power, POL, low-current dc-to-dc, and synchronous buck in notebooks
• VRMs
• Power modules
• Graphics cards
• Servers
• Gaming consoles

Asignatura: EES.
Alumno: Juan José Núñez Ceballos
Fuente: http://www.vishay.com/docs/49952/pt0182_0.pdf
Reflexión: Ahora claro esta, uno oye de pecado[1Co6:9-10] y esto y lo otro, un Dios que no veo, la cosa esta en que es por creencia a lo que Èl dice en su Santa Palabra(en donde se define muy claramente cada una de las cosas que hemos escuchado de Èl)[2Ti3:16-17] Dicha creencia tiene la obediencia.

Power MOSFETs TrenchFET(R) Gen III

New Breakthrough Technology Lowers On-Resistance up to 40% While Improving Gate Charge

Key Features and Benefits:
Low conduction and switching losses enable increased efficiency and reduced power consumption

•Record-breaking maximum on-resistance at VGS = 4.5 V rating is up to 35% - Down to 0.0017 Ω
•Maximum on-resistance at VGS = 10 V is also up to 40% lower - Down to 0.0012 Ω
•Figure of Merit (FOM) of on-resistance times gate charge up to 42% lower - Down to 85 mΩ-nC
12-V to 40-V options, all with 20 V VGS

Package options in SO-8 footprint area include:

•Thermally advanced PowerPAK® SO-8
•Standard SO-8
•PolarPAK® with double-sided cooling
Also available in the thermally advanced PowerPAK 1212-8 and PowerPAK ChipFET®, about 1/3 and 1/5 respectively of the SO-8 footprint area

Circuit Applications

•Synchronous Rectification
•Synchronous Buck Converter
◦Low-Side MOSFET
•OR-ing
Product Applications
•VRM
•POL
•Servers
•Fixed Telecom
•Power Supplies
TrenchFET® Gen III

TrenchFET® Gen III power MOSFETs are ideal for low-side applications, where their low on-resistance minimizes conduction losses and improves efficiency compared to previous-generation MOSFETs. Also lower gate charge yields approximately 1/3 lower FOM in some devices, providing lower switching losses over the previous generation.

Asignatura: EES.
Alumno: Juan José Núñez Ceballos
Fuente: http://www.vishay.com/mosfets/pt0105-list/
Reflexión: No obstante aún cuando hemos ofendido a Dios con nuestros pecados, Él es misericordioso y no quiere que su ira[Ro1:18-19] venga sobre nosotros, el quiere salvarnos de esto[1Te5:9]

C-MOSFET (Complementary MOS FET)

Este circuito es la combinación de un MOSFET de canal P y un MOSFET de canal N.

Funcionamiento:

- Cuando la entrada tiene un nivel de tensión negativo (L), el MOSFET de canal P conduce y el MOSFET de canal N no lo hace
- Cuando la entrada tiene un nivel de tensión positivo (H), el MOSFET de canal N conduce y el MOSFET de canal P no lo hace

Se puede ver que el funcionamiento de ambos es siempre opuesto. Una característica importante de este circuitos es que la corriente de salida, que se puede considerar relativamente alta, es controlada con facilidad.

Cuando la entrada está en nivel bajo (L), la salida está conectada directamente a la fuente de alimentación a través del MOS FET de canal P y se tiene un nivel alto (H).

Cuando la entrada está en nivel alto (H), la salida está conectada directamente a la tierra a través del MOS FET de canal N y se tiene un nivel bajo (L).

El nivel de salida de la salida es siempre el inverso que el de la entrada (hay inversión de fase).

En el circuito C-MOS FET el MOSFET de canal P y el de canal N podrían no iniciar o dejar la conducción bajo las mismas condiciones, esto debido a que la tensión en la compuerta, que hace que el MOSFET deje de conducir, tiene un valor que va de 1 a 2 voltios.

Esta característica depende de cada MOSFET en particular y es común observar que la corriente de drenaje de un MOSFET es cero (MOSFET en corte) aún cuando la tensión en la compuerta no lo sea.

Asignatura: EES.
Alumno: Juan José Núñez Ceballos.
Fuente: http://www.unicrom.com/tut_C-MOSFET.asp
Reflexión: Cualquier persona en su sentido caval y lógico podría preguntarse: ¿Pero como es que si la Palabra de Dios dice que Dios es amor, como es que también dice que va castigar a los hombre por el pecado? R: Dios es Santo[Pr6:16-19], Justo[Ro6:23] pero Misericordioso[1Ti2:4-5] =>>Es la personalidad de Dios según su Palabra.

Thermalright para mosfet HR-09S y HR-09U

Dos modelos para disipar los componentes MOSFET de la placa madre
Existen dos modelos, que se venden por separado:
HR-09S (Slant Version) - con los disipadores desplazados
HR-09U (Upright Version) - los disipadores uno encima del otro
Hay que tener especial cuidado en elegir el modelo adecuado, siempre y cuando sea conveniente adquirir el producto para su placa. Consultar.
Fabricado en aluminio con un Heat-pipe de altas prestaciones.
Increíble capacidad de disipación. Fácil instalación.
Medidas HR-09S: 84 x 48 x 32,3mm. Peso: 90gr.
Medidas HR-09U: 84 x 48 x 17mm. Peso: 90gr.

Asignatura: EES.
Alumno: Juan José Núñez Ceballos.
Fuente: http://www.ibertronica.es/Thermalright.htm
Reflexión: La intención de Dios por salvarnos se muestra en su Palabra(la biblia) El origen de dicha intención es debida al pecado cometemos y según su Palabra no merecemos nada de Èl por esto[Ro3:23]

Circuitos de sistema programable Fusion de Atmel presentados por Acal Iberia.

Los circuitos de sistema programable (Programmable System Chip, PSC) Fusion de Atmel se presentan como la primera familia de FPGAs de señal mixta del mundo: una alternativa a los ASICs (Circuito Integrado para Aplicaciones Específicas), sin sus largos ciclos de diseño y altos costes.

Los nuevos circuitos integran señal mixta, memoria flash y soporte FPGA en un CI monolítico. Incluyen convertidor A/D configurable de aproximaciones sucesivas (SAR) de 12 bits y hasta 600 kS/s. El bloque analógico trabaja con salidas MOSFET y múltiples entradas analógicas con tensiones de -12 a 12 V, con predivisor opcional, que permite la conexión directa y el control de varios dispositivos analógicos (supervisores de tensión, corriente diferencial o temperatura).

Incluye memoria flash (hasta 1 Mb por dispositivo) con acceso aleatorio en 60 ns y rápido a 100 MHz en modo de prelectura. La memoria flash presenta un bus de datos, con ancho configurable de 8, 16 y 32 bits, y mecanismos de corrección de errores (ECC), capaces de reparar errores de 1 bits y detectar errores de 2.

Para aplicaciones sensibles al consumo, cuenta con modos de ultra baja potencia (sleep), diseñados para manejar actividades de supervisión de arranque y de secuenciado y configuración del encendido.

El fabricante dispone de entorno de diseño con herramientas de software, propiedad intelectual (IP) y diseños de referencia.

Se destina a aplicaciones de gestión de alimentación, carga inteligente de baterías, generación de reloj o control de motores.

Asignatura: EES.
Fuente: http://www.infoepe.es/c/Acal-Iberia/Circuitos-de-sistema-programable-Fusion-de-Atmel-presentados-por-Acal-Iberia-n1435
Alumno: Juan José Núñez Ceballos
Reflexión: El amor de Dios se mostró en que su Hijo amado murio por usted y por mi con la intención de salvarnos[Ro5:8]

MOSFET de potencia que permiten aumentar la frecuencia de conmutación y reducir las pérdidas en convertidores DC-DC

STMicroelectronics anuncia dos MOSFET de potencia diseñados para aplicaciones en convertidores DC-DC. Los nuevos dispositivos, que usan la última versión de la tecnología STripFET™ de la compañía, ofrecen una conducción extremadamente baja y disminuyen las pérdidas de conmutación (hasta 3 W menos en un módulo regulador de tensión típico) con el objetivo de lograr la mínima 'figura de mérito' (FOM).

Además de elevada eficiencia, los nuevos MOSFET permiten que los circuitos operen con superiores frecuencias de conmutación lo que hace posible una reducción del tamaño de los componentes pasivos del circuito. Por ejemplo, un incremento del diez por ciento en la frecuencia de conmutación puede provocar una reducción del diez por ciento en los componentes pasivos requeridos por el filtro de salida.

El STD60N3LH5 y el STD85N3LH5 de 30 V son los primeros miembros de una nueva serie de dispositivos STripFET V que dotan de mejoras en rendimiento y eficiencia como resultado de una baja resistencia y la reducción de la carga de total de puerta.

Con carga de puerta (Qg) de sólo 8.8 nC y Rds(on) de 7.2 mΩ a 10 V, el STD60N3LH5 es la elección ideal como FET en convertidores step-down DC-DC no aislados. El STD85N3LH5, por su parte, se caracteriza por una Qg de 14 nC y Rds(on) de 4.2 mΩ se convierte en una solución óptima para como FET síncrono.

Ambos dispositivos se presentan en encapsulados DPAK e IPAK y próximamente también estarán disponibles otras opciones como SO-8, PowerFLAT 3.3x3.3, PowerFLAT 6x5 y PolarPAK®.

La tecnología STripFET se caracteriza por una 'densidad de celda equivalente' muy elevada y celdas de menores dimensiones para reducir drásticamente la resistencia-ON y las pérdidas, usando menos área de silicio. STripFET V es la última generación de esta tecnología que consigue una mejora del treinta y cinco por ciento en resistencia de silicio y área activa y una disminución del veinticinco por ciento en la carga total de puerta por área activa en comparación con la generación anterior.

Por lo tanto, los dos nuevos MOSFET de potencia son ideales para convertidores DC-DC en ordenadores portátiles, servidores, telecomunicaciones y aplicaciones de red.

Asignatura: EES.
Fuente:http://www.elektor.es/noticias/mosfet-de-potencia-que-permiten-aumentar-la.674895.lynkx?
Alumno: Juan José Núñez Ceballos.
Reflexión: El amor de Dios hacia usted no se basa en emociones[1Co13]

Mosfet de Potencia N-CH 150V 104A TO220 por Farnell Components

Mosfet de Potencia N-CH 150V 104A TO220

Farnell presenta el Mosfet de Potencia fabricado por International Rectifier. Los transistores MOSFET de potencia son ideales en las fuentes de alimentación conmutadas (FAC), por su baja resistencia en conducción y su capacidad para trabajar con altas corrientes.
El Mosfet de Potencia tiene una Resistencia activada de 11 mohm, opera en una temperatura de un rango de 55°C to +175°C, y un tipo de voltage de 150 V.

Atributos

•Capacitancia y la Avalanche SOA Completamente caracterizado
•Resaltado Cuerpo diodo dV/dt y Capacidad dl/dt
•Alta eficiencia de rectificación síncrona en SMPS
• Sistema de alimentación ininterrumpida
•Alto poder de velocidad de conmutación
•Hard conmutada y Circuitos de Alta Frecuencia.

Asignatura: EES.
Fuente: http://www.infoepe.es/c/Farnell-Components-447/Mosfet-de-Potencia-N-CH-150V-104A-TO220-por-Farnell-Components-p105
Alumno: Juan José Núñez Ceballos.
Reflexión: Dios le ama en gran manera[Jn3:16]