STMicroelectronics anuncia dos MOSFET de potencia diseñados para aplicaciones en convertidores DC-DC. Los nuevos dispositivos, que usan la última versión de la tecnología STripFET™ de la compañía, ofrecen una conducción extremadamente baja y disminuyen las pérdidas de conmutación (hasta 3 W menos en un módulo regulador de tensión típico) con el objetivo de lograr la mínima 'figura de mérito' (FOM).
Además de elevada eficiencia, los nuevos MOSFET permiten que los circuitos operen con superiores frecuencias de conmutación lo que hace posible una reducción del tamaño de los componentes pasivos del circuito. Por ejemplo, un incremento del diez por ciento en la frecuencia de conmutación puede provocar una reducción del diez por ciento en los componentes pasivos requeridos por el filtro de salida.
El STD60N3LH5 y el STD85N3LH5 de 30 V son los primeros miembros de una nueva serie de dispositivos STripFET V que dotan de mejoras en rendimiento y eficiencia como resultado de una baja resistencia y la reducción de la carga de total de puerta.
Con carga de puerta (Qg) de sólo 8.8 nC y Rds(on) de 7.2 mΩ a 10 V, el STD60N3LH5 es la elección ideal como FET en convertidores step-down DC-DC no aislados. El STD85N3LH5, por su parte, se caracteriza por una Qg de 14 nC y Rds(on) de 4.2 mΩ se convierte en una solución óptima para como FET síncrono.
Ambos dispositivos se presentan en encapsulados DPAK e IPAK y próximamente también estarán disponibles otras opciones como SO-8, PowerFLAT 3.3x3.3, PowerFLAT 6x5 y PolarPAK®.
La tecnología STripFET se caracteriza por una 'densidad de celda equivalente' muy elevada y celdas de menores dimensiones para reducir drásticamente la resistencia-ON y las pérdidas, usando menos área de silicio. STripFET V es la última generación de esta tecnología que consigue una mejora del treinta y cinco por ciento en resistencia de silicio y área activa y una disminución del veinticinco por ciento en la carga total de puerta por área activa en comparación con la generación anterior.
Por lo tanto, los dos nuevos MOSFET de potencia son ideales para convertidores DC-DC en ordenadores portátiles, servidores, telecomunicaciones y aplicaciones de red.
Asignatura: EES.
Fuente:http://www.elektor.es/noticias/mosfet-de-potencia-que-permiten-aumentar-la.674895.lynkx?
Alumno: Juan José Núñez Ceballos.
Reflexión: El amor de Dios hacia usted no se basa en emociones[1Co13]
Además de elevada eficiencia, los nuevos MOSFET permiten que los circuitos operen con superiores frecuencias de conmutación lo que hace posible una reducción del tamaño de los componentes pasivos del circuito. Por ejemplo, un incremento del diez por ciento en la frecuencia de conmutación puede provocar una reducción del diez por ciento en los componentes pasivos requeridos por el filtro de salida.
El STD60N3LH5 y el STD85N3LH5 de 30 V son los primeros miembros de una nueva serie de dispositivos STripFET V que dotan de mejoras en rendimiento y eficiencia como resultado de una baja resistencia y la reducción de la carga de total de puerta.
Con carga de puerta (Qg) de sólo 8.8 nC y Rds(on) de 7.2 mΩ a 10 V, el STD60N3LH5 es la elección ideal como FET en convertidores step-down DC-DC no aislados. El STD85N3LH5, por su parte, se caracteriza por una Qg de 14 nC y Rds(on) de 4.2 mΩ se convierte en una solución óptima para como FET síncrono.
Ambos dispositivos se presentan en encapsulados DPAK e IPAK y próximamente también estarán disponibles otras opciones como SO-8, PowerFLAT 3.3x3.3, PowerFLAT 6x5 y PolarPAK®.
La tecnología STripFET se caracteriza por una 'densidad de celda equivalente' muy elevada y celdas de menores dimensiones para reducir drásticamente la resistencia-ON y las pérdidas, usando menos área de silicio. STripFET V es la última generación de esta tecnología que consigue una mejora del treinta y cinco por ciento en resistencia de silicio y área activa y una disminución del veinticinco por ciento en la carga total de puerta por área activa en comparación con la generación anterior.
Por lo tanto, los dos nuevos MOSFET de potencia son ideales para convertidores DC-DC en ordenadores portátiles, servidores, telecomunicaciones y aplicaciones de red.
Asignatura: EES.
Fuente:http://www.elektor.es/noticias/mosfet-de-potencia-que-permiten-aumentar-la.674895.lynkx?
Alumno: Juan José Núñez Ceballos.
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