Mejoran eficiencia en MOSFET

MOSFET de potencia de ST fueron desarrollados para utilizarse en aplicaciones de alta eficiencia.

(EOL/Gustavo Martínez).- STMicroelectronics presentó recientemente su nueva línea de transistores MOSFET de potencia, construidos utilizando la segunda generación la tecnología MDmesh (Multiple Drain Mesh), propiedad de la compañía.

ST señaló que los nuevos dispositivos fueron desarrollados para utilizarse, entre otras aplicaciones, en fuentes de poder switcheadas, sistemas de corrección de factor de potencia y adaptadores de potencia, debido a que reducen sustancialmente el consumo de potencia, respecto a la primera generación MDmesh.

Como ejemplo de este rendimiento, ST aseguró que el MOSFET, STP25NM60N, un dispositivo de 600V, ofrece una eficiencia en el consumo de energía de 98%, entregando una potencia de carga de 250Watts.

Uno de los miembros de esta familia, el ofrece una eficiencia de 98% a 23Voltios de corriente alterna, con una salida de potencia de 250Watts, informó la compañía a manera de ejemplo.

La segunda generación de la tecnología MDmesh incluye una innovadora estructura de drenaje, implementada como un arreglo de particiones con tiras verticales de material tipo p, alineadas con las tiras tipo n de la fuente.

Esta nueva estructura se traduce en una reducción de 40% en la resistencia de encendido (RON), provocando a su vez una reducción significativa en el consumo de potencia del transistor.

Adicionalmente a esta reducción en las pérdidas de encendido, los nuevos MOSFET logran tener menores pérdidas por conmutación, gracias a un mejor control en las capacitancias intrínsecas del dispositivo.

Otra característica de esta nueva arquitectura es la posibilidad de manejar mayores corrientes, con menores tensiones VGS utilizadas en el control de los dispositivos, aseguró ST.

La nueva familia de MOSFET incluye 4 dispositivos de 500 voltios y 140mOhm, 4 de 500V y 380mOhm y 4 más de 600Vy 170mOhm, todos disponibles en diferentes versiones de empaquetado como TO-247, TO-220,TO-220FP y D2PAK/I2PAK.

MOSFET de potencia para aumentar la eficiencia en fuentes de alimentación

STMicroelectronics anuncia un nuevo MOSFET de potencia, el STV3000NH02L, desarrollado con una tecnología innovadora, ribbon-bonding que logra una Rds(on) típica de 800 micro-ohmios (0.8 mΩ), para reducir las pérdidas e incrementar la eficiencia en las fuentes de alimentación. Este nuevo dispositivo, de canal N, de elevada corriente, está particularmente indicado para fuentes de alimentación con configuración en paralelo, usadas para aumentar la fiabilidad del sistema en aplicaciones con servidores.

El nuevo transistor de 20 V, que también es ideal para reducir las pérdidas de rectificación secundaria en convertidores DC-DC de alta eficiencia, ofrece una excelente protección ante situaciones de cortocircuito, con un tiempo de desconexión muy bajo.

La configuración en paralelo de fuentes de alimentación suele ser utilizada para ofrecer redundancia en sistemas críticos o incrementar la capacidad. Originalmente, se usaron diodos para esta función, pero fueron reemplazados por MOSFET para lograr mayores prestaciones. Ahora, la mínima pérdida del STV300NH02L supone un nuevo paso adelante en la eficiencia de fuentes de alimentación.