domingo, 25 de julio de 2010

New 500-V Vishay Siliconix N-Channel Power MOSFETs Feature Low 0.555-Ω On-Resistance and Improved Gate Charge of 48 nC in TO-220,TO-220 FULLPAK, and D



MALVERN, PENNSYLVANIA — July 12, 2010 — Vishay Intertechnology, Inc. (NYSE: VSH) today released three new 500-V, 12-A n-channel power MOSFETs with ultra-low 0.555-Ω maximum on-resistance at a 10-V gate drive, and an improved gate charge of 48 nC in TO-220, TO-220 FULLPAK, and D²PAK (TO-263) packages.
The low on-resistance of the
SiHP12N50C-E3 (TO-220), SiHF12N50C-E3 (TO-220 FULLPAK), and SiHB12N50C-E3 (D²PAK) translates into lower conduction losses that save energy in power factor correction (PFC) boost circuits, pulsewidth modulation (PWM) half bridges, and LLC topologies in a wide range of applications, including notebook computer AC adapters, PC and LCD TVs, and open-frame power supplies.
In addition to their low on resistance, the devices feature a gate charge of 48 nC. Gate charge times on-resistance, a key figure of merit (FOM) for MOSFETs used in power conversion applications, is a low 26.64 Ω-nC.
The new n-channel MOSFETs are produced using Vishay Planar Cell technology, which has been tailored to minimize on-state resistance and withstand high energy pulses in the avalanche and commutation mode. Compared to previous-generation MOSFETs, the
SiHP12N50C-E3, SiHF12N50C-E3, and SiHB12N50C-E3 offer improved switching speed and losses.
The devices are compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and 100 % avalanche- tested for reliable operation.
Samples and production quantities of the new power MOSFETs are available now, with lead times of 8 to 10 weeks for larger orders.
Vishay Intertechnology, Inc., a Fortune 1,000 Company listed on the NYSE (VSH), is one of the world's largest manufacturers of discrete semiconductors (diodes, MOSFETs, and infrared optoelectronics) and passive electronic components (resistors, inductors, and capacitors). These components are used in virtually all types of electronic devices and equipment, in the industrial, computing, automotive, consumer, telecommunications, military, aerospace, power supplies, and medical markets. Vishay's product innovations, successful acquisition strategy, and "one-stop shop" service have made it a global industry leader. Vishay can be found on the Internet at
http://www.vishay.com.
Asignatura: EES.
Alumno: Pedro Jose Contreras Urbina

Vishay Siliconix Releases Industry’s Smallest and Thinnest N-Channel Chipscale Power MOSFET With 0.64-mm2 Area


MALVERN, PENNSYLVANIA — July 26, 2010 — Vishay Intertechnology, Inc. (NYSE: VSH) today unveiled the industry's smallest and thinnest n-channel chipscale power MOSFET and the first with a sub-1-mm2 outline. The 20-V MICRO FOOT® Si8800EDB combines an ultra-small 0.8-mm by 0.8-mm outline with a height of 0.357 mm to save space in portable electronics.
As portable devices become more compact, the size of components becomes critical, as PCB areas are extremely limited due to the space taken by keypads and batteries. With its ultra-small outline and height, the
Si8800EDB is 36 % smaller and 11 % thinner than the next smallest n-channel device in a chipscale package, allowing for the creation of more compact end products with increased functionality.
The chipscale packaging of the
Si8800EDB provides an extremely low on-resistance per area due to its packageless technology and increased die area. The MOSFET offers maximum on-resistance values of 80 mΩ at 4.5 V, 90 mΩ at 2.5 V, 105 mΩ at 1.8 V, and 150 mΩ at 1.5 V.
Typical applications for the new device will include load switches and small signal switching in portable devices such as cell phones, PDAs, digital cameras, MP3 players, and smart phones. The
Si8800EDB's low on-resistance prolongs battery life between charges in these products.
The
Si8800EDB features typical ESD protection of 1500 V, is compliant to RoHS Directive 2002/95/EC, and is halogen-free according to the IEC 61249-2-21 Definition.
Samples of the new power MOSFET are available now. Production quantities will be available in Q2 2010, with lead times of 16 weeks for larger orders.
Vishay Intertechnology, Inc., a Fortune 1,000 Company listed on the NYSE (VSH), is one of the world's largest manufacturers of discrete semiconductors (diodes, MOSFETs, and infrared optoelectronics) and passive electronic components (resistors, inductors, and capacitors). These components are used in virtually all types of electronic devices and equipment, in the industrial, computing, automotive, consumer, telecommunications, military, aerospace, power supplies, and medical markets. Vishay's product innovations, successful acquisition strategy, and "one-stop shop" service have made it a global industry leader. Vishay can be found on the Internet at
http://www.vishay.com.
Asignatura: EES.
Alumno: Pedro Jose Contreras Urbina

PROBADOR DE TRANSISTORES MOS-FET

El circuito presente en la figura siguiente, está constituido por una etapa osciladora seguida de una etapa amplificadora,es muy sencillo y dispone de un indicador de estado y utiliza unos pocos componentes de fácil localización.

Así que utilizaremos el oscilador para generar la frecuencia que nos permita averiguar si el transistor bajo prueba es capaz de amplificar dicha señal, si es así transistor en buen estado, en caso contrario, adquirir otro.
Funcionamiento:
Como se apuntaba, el circuito probador consiste en un oscilador astable formado por las dos puertas inversoras ICA-ICB en el esquema y cuya frecuencia de oscilación viene determinada por los valores de R1 y C1, en este caso una frecuencia cercana a 120 Hz para evitar en lo posible el molesto destello.
Si se desea modificar la frecuencia, puede se hacer mediante el ajuste del potenciómetro R1, dispuesto para este fin. La frecuencia puede ser calculada por : f =1 /( 0,7 x R1 x C1), donde R1 viene en Ohms y C1 en Faradios.
Conviene que C1 sea menor de 10uF para evitar en lo posible las "elevadas corrientes de fugas" que se presentarían, comparables a la corriente inicial de carga de este condensador en muchos casos. El condensador, se comporta como un cortocircuito. Debido a que, el CI4049B dispone de 6 inversores, se han utilizado pares en paralelo como se puede ver, de esta forma se obtiene más intensidad y cargabilidad, asegurando la corriente necesaria para excitar lo LED's.
La oscilación obtenida, ataca la entrada de un par de inversores separadores para no cargar al oscilador y se dirige los terminales del transistor fet, aunque con un desfase de 90º, mediante otro par de inversores, asegurándonos un paso de corriente D-S (drenador-sumidero) en cada semiperíodo de la oscilación y S-D en el semiciclo siguiente, siempre que se mantenga activo el pulsador, esto excitará el LED correspondiente indicando así su polaridad (Canal N o Canal P) y si está en buen estado.

Asignatura: EES.
Alumno: Pedro Jose Contreras Urbina
Fuente:
http://www.fortunecity.es/felices/barcelona/146/3ds/tutores/mosfet_test.html

sábado, 24 de julio de 2010

Especial: Como hacer un aerogenerador (molino de viento o turbina eolica).



Siguiendo la línea de inventos de energías renovables, hoy os traigo otro especial, esta vez para hacer un aerogenerador. Como el anterior especial para hacer un panel solar, este también es del mismo autor, y nosotros nos hemos encargado de traducirlo.
Las características principales de esta turbina eólica pueden variar según el tipo de motor o generador que le instalemos, pero normalmente será de unos 12v de tensión eficiente. Disfrutad de este invento haciendolo tanto como yo traduciendolo para vosotros:
Después de muchas búsquedas de información por todo Internet, me dí cuenta que todos los diseños tenían cinco cosas en común:
Un generador.
Palas.
Sistema de orientación hacia el viento (Timón).
Una torre para elevar la turbina hacia dónde esté el viento.
Baterías y un sistema de control eléctrico.
Organizando un poco el tema, conseguí reducir el proyecto a tan sólo cinco sistemas, que atacando poco a poco y uno por uno, no resulta del todo complicado. Decidí comenzar con el generador. Observando los proyectos de otras personas por Internet, me dí cuenta que había gente que decidió hacerse su propio generador, otros que usaban la energía residente de motores de imán permanente, y otros, simplemente se buscaban un generador. Así que decidí ponerme a buscar.
Mucha gente usaban los motores de las unidades de cinta de ordenadores antiguos. Los mejores para esto, son los Ametek de 99 voltios en continua que funcionan muy bien como generadores. Por desgracia, son muy difíciles de encontrar, aunque siempre puedes probar con otros modelos parecidos de Ametek (En
eBay, por ejemplo). Aquí hay un sitio (en inglés) que habla de los defectos y virtudes de los Ametek como generadores, muy completo la verdad.
Existen muchas otras marcas y modelos de motores de imán permanente que no sean los Ametek, pero puede que no trabajen igual de bien, ten en cuenta que los motores de imán permanente no fueron diseñados para ser generadores. Los motores normales, cuando se usan como generadores, tienen que ser impulsados mucho más rápido que su velocidad nominal de funcionamiento para alcanzar una producción parecida a la de su funcionamiento normal. Con estos datos, podemos sacar una conclusión, lo que estamos buscando, es un motor que de mucha tensión con pocas revoluciones. Alejarse de motores con muchas revoluciones y poca tensión, porque no servirá para nada. Lo que buscamos, más o menos, es un motor que nos de unos 12 v de tensión útil con unas revoluciones muy bajas (325 rpm). Cuando lo tengáis, para hacer la prueba, conectarlo a una bombilla de 12 v y darle un fuerte giro al motor con la mano, si de verdad nos funciona, la bombilla deberá encenderse como normalmente.
Asignatura: EES.
Alumno: Pedro Jose Contreras Urbina

MULTIPLICADOR ANALOGICO CON MOSFETS.



Resumen: MULTIPLICADOR ANALOGICO CON MOSFETS. PRESENTA MEDIOS LINEALES DE MOSFET DE RESISTIVIDAD VARIABLE PARA HACER VARIAR LINEALMENTE LA INTENSIDAD "I" DE SALIDA EN FUNCION DE UNA TENSION SIMETRICA DE ENTRADA PROCEDENTE DE FUENTES "V2" Y "-V2" DE TENSION Y UNA TENSION DE ENTRADA PROCEDENTE DE UNA FUENTE "V1" DE TENSION DE ENTRADA ASOCIADA OPERATIVAMENTE CON LA TENSION SIMETRICA DE ENTRADA PROCEDENTE DE LAS FUENTES "V2" Y "-V2" DE TENSION, TENIENDO LOS MEDIOS LINEALES DE MOSFET DE RESISTIVIDAD VARIABLE UN NODO "A" PARA PRODUCIR A SU TRAVES LA INTENSIDAD "I" DE SALIDA VARIADA. LA UNIDAD AMPLIFICADORA OPERACIONAL INCLUYE ADEMAS UN ELEMENTO "Z" DE REALIMENTACION CONECTADO ENTRE EL TERMINAL DE ENTRADA DE INVERSION Y EL TERMINAL DE SALIDA DEL AMPLIFICADOR OPERACIONAL "U", PRODUCIENDO EL TERMINAL DE SALIDA UNA TENSION "VO". APLICABLE, PARTICULARMENTE, PARA OBTENER HIBRIDOS ANALOGICO-DIGITALES DE UNA SINAPSIS NEURAL ARTIFICIAL.Solicitante: KOREA TELECOMMUNICATION AUTHORITYNacionalidad: KRInventor/es: IL SONG, HANFecha de Solicitud: 16/07/1992Fecha de Publicación de la Concesión: 01/09/1996Fecha de Concesión: 19/07/1996Clasificación Principal: G06G7/02, G06G7/163

Asignatura: EES.
Alumno: Pedro Jose Contreras Urbina
Fuente:http://patentados.com/invento/multiplicador-analogico-con-mosfets.html

Que es mejor un ampli a valvulas o a transistores...

Yo lo prefiero a valvulas, aunque puede ser que no quieras complicarte la vida yte decidas por un ampli a transistores con la ultima tecnologia de modulacion.Te explicamos por que....



VALVULAS: (Tubos, Tubos de Vacio, Triodo, Pentodo, etc)Las valvulas funcionan por emision termoionica de electronesdesde un filamento o catodo, controlado por una rejillay recogiendose en una placa. Algunas valvulas tiene mas deuna rejilla, Algunas tienen dos elementos amplificadoresseparados en una envoltura de vidrio. Estas dobles valvulassuelen funcionar peor.Las caracteristicas de las valvulas varian ampliamente dependiendodel modelo seleccionado. En general, las valvulas son mayores,mas fragiles, bonitas, funcionan calientes, y necesitan variossegundos antes de funcionar. Las valvulas tienen una gananciarelativamente baja, alta impedancia de entrada, baja capacidadde entrada, y la capacidad de aguantar abusos momentaneos.Las valvulas se saturan (clip) suavemente y se recuperande la sobracarga rapida y suavemente.Los circuitos que no usan valvulas se llaman a transistores(o de estado solido), porque no usan dispositivos que contienengas (o liquido).Las caracteristicas de las valvulas tienden a cambiar con el uso(edad). Son mas susceptibles a las vibraciones (llamadas"microfonicas") que los dispositivos de transistores. Lasvalvulas incluso sufren de ruido cuando se usan con filamentosen corriente alterna.Las valvulas son capaces de trabajar a mayores voltajes quecualquier otro dispositivo, pero las valvulas de alta corrienteson raras y caras. Esto quiere decir que la mayoria de losamplificadores a valvulas usan un transformador de salida. Apesar de no ser caracteristica especifica de las valvulas, lostransformadores de salida añaden distorsion del segundo armonicoy presentan una caida gradual en la respuesta a altas frecuenciasque es dificil de duplicar con circuitos a transistores.


TRANSISTORES: (BJT, Bipolares, PNP, NPN, Darlington, etc)Los transistores operan con portadores minoritarios inyectadosdesde el emisor a la base que hace que fluyan a traves de labase hacia el colector, controlando la corriente de la base.Los transistores estan disponibles como dispositivos PNP y NPN,permitiendo que uno tire de la señal de salida. Los transistoresestan tambien disponibles en pares emparejados y empaquetados,pares seguidores de emisor, arrays de transistores multiplese incluso en complejos "circuitos integrados", donde estancombinados con resistencias y condensadores para conseguirfunciones de circuitos complejos.Como las valvulas, hay muchas clases de BTJs disponibles.Algunos tienen una alta ganancia de corriente, mientras queotros tienen menor ganancia. Algunos son rapidos, y otros lentos.Algunos manejan altas corrientes mientras que otros tienencapacidades de entrada bajas. Algunos tienen menos ruidoque otros. En general, los transistores son estables, duran casiindefinidamente, tienen alta ganacia, requieren alguna corrientede entrada, tienen baja resistencia de entrada, tienencapacidad de mayores entradas, saturan rapidamente, y sonlentos de recuperarse de la sobrecarga (saturacion). Lostransistores tienen un amplio margen antes de la saturacion.Los transistores estan sujetos a un modo de fallo llamadosegunda avalancha, que sucede cuando el dispositivo estatrabajando a alto voltaje y alta corriente. La segundaavalancha puede evitarse con un diseño prudente, locual le dio a los primeros amplificadores de transistoresuna mala reputacion de fiabilidad. Los transistores son tambiensusceptibles de descontrolarse con la temperatura cuando seusan incorrectamente. Sin embargo, los diseños prudentesevitan el segunda avalancha y el embalamiento termico.MOSFET: (VMOS, TMOS, DMOS, NMOS, PMOS, IGFET, etc)Los transistores de efecto de campo semiconductor metal-oxido usanuna puerta aislada para modular el flujo de la corriente portadoraprincipal de la fuente al drenaje con el campo electrico creadopor la puerta. Como los bipolares, los MOSFETs estan disponiblesen P y N. Tambien como los transistores, los MOSFEt estan disponiblesen pares y circuitos integrados. Los MOSFET emparejados no seacoplan tan bien como los pares de transistores bipolares, perose emparejan mejor que las valvulas.Los MOSFETs estan tambien disponibles en muchos tipos. Sinembargo, todos tienen baja corriente de entrada y bastante bajacapacidad de entrada. Los MOSFET tienen menor ganancia, se saturanmoderadamente y se recuperan rapidamente de la saturacion. Apesar de que los MOSFETs de potencia no tienen puerta en DC,la capacidad de entrada finita quiere decir que los MOSFET depotencia tienen una puerta finita de corriente AC. Los MOSFETson estables y robustos. No son susceptibles de embalamiento termiconi segunda avalancha. Sin embargo, los MOSFETs no puedensoportar abusos tan bien como las valvulas.JFET:Transistores de efecto de union de campo operan exactamenteigual que los MOSFET, pero no tienen una puerta aislada.Los JFETs comparten la mayoria de las caracteristicas de losMOSFETs, incluyendo parejas disponibles, tipos P y N, ycircuitos integrados.Los JFETs no estan disponibles normalmente como dispositivosde potencia. Ellos hacen excelentes preamplificadores de bajoruido. La union de la puerta da a los JFETs mayor capacidad deentrada que los MOSFETs e incluso les previene de ser usadosen modo de acumulacion o enriquecimiento. Los JFETs unicamentese usan como circuitos de deplexion o empobrecimiento.Los JFETs estan disponibles tambien como parejasy se emparejan casi tan bien como los transistores bipolares.IGBT: (o IGT)Transistores bipolares de puerta aislada son una combinacion de unMOSFET y un transistor bipolar. La parte MOSFET del dispositivosirve como dispositivo de entrada y el bipolar como la salida.Los IGBTs estan solo disponibles hoy como dispositivos tipo N, perolos dispositivos P son posibles en teoria. Los IGBTs son mas lentosque otros dispositivos pero ofrecen un bajo costo, la alta capacidadde corriente de los transistores bipolares con la baja corrientede entrada y la baja capacidad de entrada de los MOSFETs.Sufren de saturacion tanto o mas que lostransistores bipolares, e incluso sufren de segunda avalanchaRaramente se usan en audio High-end, pero a veces se usan paraamplificadores de extremadamente alta potencia. Ahora la pregunta real: Puedes pensar que si estos diversosdispositivos son tan diferentes entre ellos, alguno sera elmejor. En la practica, cada uno tiene sus puntos fuertesy debiles. Incluso porque cada tipo de dispositivo estadisponible en tantas formas diferentes, la mayoria de lostipos puede usarse en la mayoria de los sitios con exito.Las valvulas son prohibitivamente caras para amplificadoresde muy alta potencia. La mayoria de los amplificadores avalvulas dan menos de 50 watts por canal.Los JFETs son a veces un dispositivo ideal de entrada porquetienen bajo ruido, baja capacidad de entrada y buen acoplamiento.Sin embargo, los transitores bipolares tiene incluso mejoremparejamiento y mayor ganancia, asi que para fuentes de bajaimpedancia, los dispositivos bipolares son incluso mejores.Aun las valvulas y los MOSFETs tienen incluso menor capacidadde entrada, lo mismo para muy alta resistencia de salida, podrianser mejores.Los transistores bipolares tiene la mas baja resistencia desalida, asi pues son buenos dispositivos de salida. Sin embargo,la segunda avalancha y una alevada carga almacenada pesa en su contracuando se les compara con los MOSFET. Un buen diseño BJT necesitatener en ceunta las debilidades de los BJTs mientras que unbuen diseño MOSFET necesita controlar las desventajas delos MOSFETsLos transistores de salida bipolares requieren proteccionde segunda avalancha y embalamiento termico y esta proteccionrequiere circuiteria adicional y esfuerzo de diseño. Enalgunos amplificadores, la calidad de sonido se daña conla proteccion.Como ya se dijo, hay mas diferencias entre diseños individuales,sean valvulas y transistores, que hay entre diseños generalesentre valvulas y transistores. Puedes hacer un buen amplificadorde ambos, y puedes hacer un amplificador cutre tambien.A pesar de que los transistores y valvulas se saturan diferente,la saturacion sera rara o inexistente en un buen amplificador,asi que esta diferencia no debe tenerse en cuenta.Alguna gente dice que las valvulas requieren unarealimentacion menor o nula mientras que los transistoresrequieren bastante realimentacion. En la practica, todoslos amplificadores requieren alguna realimentacion, seatotal, local, o unicamente "degeneracion". La realimentaciones esencial en los amplificadores porque hace al amplificadorestable con las variaciones de temperatura y fabricable apesar de las variaciones de los componentes.La realimentacion tiene una mala reputacion debido a queun sistema de realimentacion mal diseñado puede pasarseo oscilar dramaticamente. Algunos diseños viejos usabanexcesiva realimentacion para compensar las no linealidadesde circuitos cutres. Los amplificadores con realimentacionesbien diseñadas son estables y tienen un muy pequeño sobreimpulso.Cuando salieron los primeros amplificadores de transistores,eran peores que los mejores amplificadores de valvulas de aquellosdias. Los diseñadores cometieron muchos errores con las nuevastecnologias conforme aprendian. Hoy en dia, los diseñadores sonmucho mas expertos y sofisticados que en aquellos dias de 1960.Debido a las bajas capacidades internas, los amplificadoresa valvulas tienen unas caracteristicas de entrada muy lineales.Esto hace a los amplificadores a valvulas faciles de alimentary tolerantes a fuentes de altas impedancias de salida, talescomo otros circuitos a valvulas y controles de volumen dealta-impedancia. Los amplificadores de transistores podrian tenerun alto acoplamiento entre la entrada y la salida y podrian teneruna impedancia de entrada menor. Sin embargo, algunas tecnicasde circuitos reducen estos efectos. Incluso, algunos amplificadoresde transistores evitan totalmente estos problemas usando buenosJFET como circuitos de entrada.Hay muchas exageraciones, errores asi como muchas leyendassobre el tema. En efecto, un buen diseñador FET puede hacer unbuen amplificador FET. Un buen diseñador de valvulas puedehacer un buen amplificador a valvulas, y un buen diseñador detransistores puede hacer un amplificador a transistores muybueno. Muchos diseñadores mezclan componentes para usarlosen aquello en que son mejores.Al igual que con todas las disciplinas de ingenieria, losbuenos diseños de amplificadores requieren un amplio conocimientode las caracteristicas de los componentes, los fallos dediseño de amplificadores, las caracteristicas de la fuentede señal, las caracteristicas de las cargas, y las caracteristicasde la señal misma.Otro tema aparte es que carecemos de un buen conjunto de medidaspara calificar la calidad de un amplificador. La respuestaen frecuencia, distorsion y relacion señal-ruido dan claves,pero por ellas mismas son insuficientes para calificar elsonido.Mucha gente jura que las valvulas suenan mas "a valvulas" y lostransistores suenan mas "a transistores". Alguna gente añade uncircuito a valvulas a sus circuitos de transistores para darlesalgo de sonido a "valvulas"Alguna gente dice que han medido y distingen diferenciasentre las caracteristicas de distorsion de los amplificadoresde valvulas y los de transistores. Esto podria ser causadopor el transformador de salida, la funcion de transferenciade las valvulas, o la eleccion de la topologia del amplificador.Los amplificadores de valvulas raramente tienen respuesta enfrecuencia tan plana como los mas planos amplificadores detransistores, debido al transformador de salida. Sin embargo,la respuesta en frecuencia de buenos amplificadores a valvulases extremadamente buena.
Asignatura: EES.
Alumno: Pedro Jose Contreras Urbina

amplificador de audio de 25w con salida mosfet

Puede conectarse directamente a reproductores de CD, sintonizadores y grabadores de cinta.
Para funcionar eficazmente añadir un potenciómetro de 5K un extremo conectado a la entrada de audio la pata de en medio del potenciómetro conectado al C1 y el otro extremo a tierra esto es prácticamente obligatorio para este circuitoQ6 y Q7 debe tener disipadores pequeñosQ8 y Q9 se debe montar en disipadores de calor.(apropiados)Ajuste R11 para que no haya ruido, ajustar, ajustar la corriente de 100 mA, verificar el consumo en serie con el desagüe de Q8 sin señal de entrada. el trimer (R11) va conectado la pata de el centro conectado con uno de las extrmos del trimer para que pueda variar la corriente.
Componentes:
Q1-Q5______BC558B 45V 100mA Low noise High gain PNP transistors

Q6_________BD140 80V 1.5A PNP Transistor

Q7_________BD139 80V 1.5A NPN Transistor

Q8_________IRF530 100V 12A N-Channel Hexfet Transistor

Q9_________IRF9530 100V 10A P-Channel Hexfet Transistor

R1,R4_________47K 1/4W Resist.

R2____________4K7 1/4W Resist.

R3____________1K5 1/4W Resist.

R5__________390R 1/4W Resist.

R6__________470R 1/4W Resist.

R7___________33K 1/4W Resist.

R8__________150K 1/4W Resist.

R9___________15K 1/4W Resist.

R10__________27R 1/4W Resist.

R11_________500R 1/2W Trimmer Cermet

R12,R13,R16__10R 1/4W Resist.sR14,R15_____220R 1/4W

R17___________8R2 2W Resist.

R18____________R22 4W Resist. (wirewound)

C1___________470nF 63V Polyester Condensador

C2___________330pF 63V Polystyrene Condensador

C3,C5________470µF 63V Electrolytic Condensadores

C4,C6,C8,C11_100nF 63V Polyester Condensadores

C7___________100µF 25V Electrolytic Condensador

C9____________10pF 63V Polystyrene Condensador

C10____________1µF 63V Polyester Condensador
Gracias espero su pronta respuesta.
Nota: el potenciometro de 5 K es obligatorio en el circuito gracias. haaaa y la tableta si es posible debe de ser de 6cm de amcho y 8cm de largo muchisimas gracias lo vuelvo a poner por que el otro un capacitor y una resistencia no estaban conectados a nada gracias a ahora les añado lo del potenciometro que va a la entrada
Asignatura: EES.
Alumno: Pedro Jose Contreras Urbina
Fuente:
http://www.circuitosimpresos.org/2010/07/01/amplificador-de-audio-de-25w/

MOSFET Vs. ZERO FEEDBACK

A mediados de la década del setenta se desarrolló en europa un concepto sobre las ventajas de amplificadores con baja realimentación global. Se dice que los amplificadores realimentados presentan problemas porque la señal realimentada "tarda" un tiempo en retornar a la entrada y que esto hace perder calidad y ¨naturalidad¨al sonido. Además se dice que el factor de amortiguaiento (damping factor) mejora en los amplificadores con poca realimentación.
Hoy la discución continua pero restringida a la cantidad de realimentación.
La realidad es que se pueden obtener excelentes resultados con una sinergia de realimentación local y realimentación global.
Para ampliar esto último exploremos un poco el concepto de "retardo entre la salida y la entrada". La energía electromagnética se desplaza dentro de un conductor a una velocidad de 230.000 km/s. Esto quiere decir que un cable de 23 cm de largo (distancia comparable a las dimensiones de un amplificador) es atravesado por una onda electromagnética en 1 nanosegundo, el cual es el período de una señal de 1Ghz. Una señal de 20.000 Hz tiene una longitud de onda dentro de un conductor de 11,5 Km o 11.500 metros. Por lo tanto el concepto de "retardo" no es aplicable a un amplificador de audio, sino intente colocar un cable 11.500 m de largo dentro de su amplificador.
Cuando en un artículo sobre realimentación o factor de amortiguamiento Ud. lea "retardo" lo que debe leer es "fase", y la fase es inherente a las reactancias propias de los dispositivos de entrada, drivers y salida y las características de transferencia de los realimentadores locales y globales.
No puede evaluarse con seriedad si la realimentación es mucha o poca si no se tiene en cuenta que tipo de dispositivos y topologías están involucradas en el diseño.

Hagamos Historia:
Los problemas con los amplificadores de principio de los años 70 son dos: el criterio de diseño y los dispositivos semiconductores con que se contaba.
Se consideraba a un amplificador de audio como un amplificador operacional, es decir alta ganancia y un polo dominante, en general en la etapa de entrada, que hacia al amplificador estable al cerrar el lazo en cualquier condición. Es más, vemos en muchos diseños de la época un operacional, tipo UA741, a la entrada del circuito para aprovechar el par diferencial y el polo dominante.
Sabemos que un polo dominante a baja frecuencia, generalmente 10Hz, trae dos problemas: uno compuesto por dos fenómenos de naturaleza semejante, el slew-rate y el recorte por intermodulación, y el otro, la degradación del factor de amortiguamiento por la caida de la ganancia de lazo a frecuencias medias.
Se debe tener en cuenta, para el correcto entendimiento, que estos procesos dinámicos, como el slew-rate y el recorte por intermodulación, son fenómenos independientes de la realimentación pues, al presentarse, la realimentación esta cortada (ver*)
Para solucionar estos problemas se modificó el criterio de diseño. Hoy se busca que el ancho de banda de potencia, es decir a máxima excursión de tensión, sea mayor que el de pequeña señal, es decir cuando cae 3db de frecuencias medias.
Para conseguir este criterio hace falta dos cosas: en primer lugar par diferencial de entrada con componentes discretos, resistores degeneradores de emisor, o sea realimenación local y apropiada corriente de polarización(ver*) y en segundo lugar dispositivos excitadores y de salida muy rápidos, es decir MOSFETs, a fin de correr el polo de la etapa de entrada, que ya no es dominante, hasta aproximadamente 15000 Hz.
Con estos dos criterios de diseño, el amplificador con realimentación múltiple con componentes discretos y transistores MOSFETs a la salida es la mejor opción como etapa de potencia de audio al día de hoy.
*Un análisis muy completo puede verse en Gray & Meyer "Analysis and Design of Analog integrated Circuits" John Wiley and Sons. 1977 pag. 541 y siguientes


Asignatura: EES.
Alumno: Pedro Jose Contreras Urbina
Fuente:
http://www.vn-amps.com.ar/zero.htm

Control PWM de motores con MOSFETs

Desde NeoTeo, Mario Sacco nos trae este interesante artículo sobre el control de motores de corriente continua mediante la configuración "Puente H".
El conocido y
famoso "puente H" o "H bridge" siempre es la solución en sistemas donde el sentido de giro es una necesidad de operación. Sin embargo, el mundo real y físico nos presenta incontables dificultades a la hora de operar el puente H. Comenzando por la inercia del sistema mecánico, pasando por la velocidad de respuesta y terminando en el proceso de frenado y detención apropiados, encontramos la mayoría de los inconvenientes que han hecho abandonar a muchos entusiastas que se inician en el mundo de la robótica y la mecatrónica. Veamos juntos un poco de teoría y práctica de este dispositivo que moverá los motores en nuestros futuros montajes.


Mediante este circuito es posible controlar motores de corriente continua inyectando una señal PWM que podemos generarla con un microcontrolador.
El
proyecto basa el control de la carga mediante un puente H construido alrededor de MOSFETs. Su implementación es muy sencilla y el autor pone a disposición el material completo: diagrama esquemático, listado de componentes, archivos PCB.

Asignatura: EES.
Alumno: Pedro Jose Contreras Urbina
Fuente:http://www.automatismos-mdq.com.ar/blog/2010/03/control-pwm-de-motores-con-mosfets.html

AMPLIFICADOR S-Sub Mosfet

Introduccion

Un día insolé unas PCBs y por una causa indeterminada parte de una PCB de un S-SUB encargado salió mal. Se corrompió la laca de todo un lado, justo el de la etapa salida, y justo sólo su parte. Como el resto había salido bastante bien pensé en acoplar una etapa de salida simple, ya que necesitaba un amplificador para hacer evaluaciones subjetivas de sonido, junto al monitor.
El resultado fue el S-SUB versión MOSFET, no puede haber nada más sencillo que una etapa de salida push-pull en drenador común con mosfet.
El circuito empleado es casi el mismo que en el S-SUB, pero con alguna modificación resultante de la etapa de salida empleada. También se modifican algunos elementos de ganancia y compensación en frecuencia.
A la derecha se puede observar el nuevo circuito.



Topologia
Aunque a priori resulte sencillo, una etapa de salida con dos transistores "gordos" y unas resistencias, en la práctica no lo es tanto, de hecho tuve que hacer una PCB aparte porque además incorporé una limitación en corriente.
Lo primero es que la impedancia de salida de la etapa de ganancia en voltaje es muy alta, y la capacidad de entrada de los mosfet también. En realidad no es mayor que la de los BJT de potencia (1500-3000pF), pero si hay una característica diferente: como no es necesario un transistor driver, la EGV lidia diréctamente con esa capacidad. Tenemos que esa capacidad en colaboración con la alta impedancia de salida de la EGV forman un polo (comportamiento de filtro paso bajo) que crea un desfase de 90º. Si a eso le añadimos el desfase resultante de la compensación en frecuencia, otros 90º tenemos 180º que invierten la fase a la salida. En ese momento la realimentación negativa deja de ser "negativa" y pasa a ser positiva, por lo que el amplificador se vuelve inestable y tiende hacia los raíles de alimentación, y en condiciones adecuadas oscila (es lo más normal).
Esto se evita degenerando el polo, añadiendo unas resistencias en serie con las puertas de los transistores MOS de salida. A frecuencias de audio ésta técnica no tiene ningún efecto pernicioso en el dinamismo.
Por otra parte, el coeficiénte térmico de los mosfet es en principio negativo, por utilizar portadores de carga que no se generan térmicamente (es uno de los motivos de que no sufran de ruptura secundaria). Por lo que tengo entendido a día de hoy, hay diferencias entre el coeficiénte térmico del voltaje de estrangulamiento y la transconductancia. La transconductancia disminuye con la temperatura, por lo que ese motivo permite colocarlos en paralelo e idealmente permite que la etapa prescinda de compensación térmica.

En los últimos tiempos, prácticamente la única aplicación que usa transistores MOSFET en zona lineal es el audio y la radiofrecuencia, donde aún sobreviven sin rival muchas válvulas de vacío. En el resto de aplicaciones con requisitos lineales se ha sustituido esta operación por el PWM, más eficiente, lineal y claramente superior para frecuencias bajas menores a 1Khz y aplicaciones que no requieran una gran precisión (0,1% min), como control de motores, servos...
La necesidad de optimizarlos para conmutación y una baja resistencia del canal ha traído nuevas formas de fabricarlos: V-MOS, Trench-FET, T-MOS, HEX-FET..., y el resultado es que el voltaje de estrangulamiento disminuye con el aumento de temperatura, a diferencia de los FETs clásicos de Hitachi, que no requerían ningún tipo de compensación térmica. La compensación térmica requerida es finalmente ajustada por un multiplicador de VBE, pero degenerado con un diodo que no está en contacto con el radiador.
Los modelos utilizados son HEXFETs de International Rectifier, los famosos IRFxxxx. En un principio, en mi versión empleé los IRF640 e IRF9640, dos modelos de 150W en TO-220, que para dar 25W de salida van más que sobrados, pero los hay más adecuados como los IRFP240 e IRFP9240, también de 150W, pero en cápsula TO-3P.
La diferencia entre estos dos modelos es que los TO-3P soportan más potencia de manera continuada porque la resistencia térmica ente el silicio y el radiador es notablemente menor. Pasa de 1.5 a 1,07, un 30% menor. Esto implica que cuando el radiador de 0.5ºC/W esté a 50ºC en el TO-3P, el silicio del transistor estará a 103ºC, mientras que en el TO-220 estará a 125ºC. El límite son 150ºC, y cuanto más frío esté el transistor más lineal será.

Por eso, es posible funcionar con los IRF540 e IRF9540, IRF640 e IRF9640, pero yo sólo puedo recomendar los IRFP240 e IRFP9240 con potencias de igual o más de 80W.Por último, el montaje es mucho más sencillo ya que los transistores se montan en la placa y se acoplan al radiador, en vez de montarlos en el radiador y emplear cables para unirlos a la placa
Asignatura: EES.
Alumno: Pedro Jose Contreras Urbina
Fuente:
http://www.pcpaudio.com/pcpfiles/proyectos_amplificadores/ssub-mosfet/Ssub_mosfet.html

domingo, 27 de junio de 2010

Power MOSFET Bridge Rectifier


The losses in a bridge rectifier can easily become significant when low voltages are being rectified. The voltage drop across the bridge is a good 1.5 V, which is a hefty 25% with an input voltage of 6V. The loss can be reduced by around 50% by using Schottky diodes, but it would naturally be even nicer to reduce it to practically zero. That?s possible with a synchronous rectifier. What that means is using an active switching system instead of a ?passive? bridge rectifier.
The principle is simple: whenever the instantaneous value of the input AC voltage is greater than the rectified output voltage, a MOSFET is switched on to allow current to flow from the input to the output. As we want to have a full-wave rectifier, we need four FETs instead of four diodes, just as in a bridge rectifier. R1?R4 form a voltage divider for the rectified voltage, and R5?R8 do the same for the AC input voltage. As soon as the input voltage is a bit higher than the rectified voltage, IC1d switches on MOSFET T3.
Just as in a normal bridge rectifier, the MOSFET diagonally opposite T3 must also be switched on at the same time. That?s taken care of by IC1b. The polarity of the AC voltage is reversed during the next half-wave, so IC1c and IC1a switch on T4 and T1, respectively. As you can see, the voltage dividers are not fully symmetrical. The input voltage is reduced slightly to cause a slight delay in switching on the FETs. That is better than switching them on too soon, which would increase the losses.[...]Author: Wolfgang Schubert – Copyright: Elektor Electronics Magazine
Asignatura: EES.
Alumno: Pedro Jose Contreras Urbina

Nuevo modelo matemático describe el comportamiento de MOSFET a altas frecuencias con mayor precisión.


(EOL/Gustavo Martínez).- Expertos de Philips y la Universidad del estado de Pensilvania, Estados Unidos, han desarrollado, de manera conjunta, un nuevo modelo de MOSFET, basado un cálculo más preciso y extensivamente usado, del potencial de superficie.De acuerdo con sus desarrolladores, el nuevo modelo produce mejores predicciones del rendimiento real de los circuitos integrados que los modelos utilizados en la actualidad, específicamente cuando se trata de dispositivos de grandes escalas de integración y aplicaciones de alta frecuencia.Así mismo, fue anunciado que el modelo ha sido enviado al CMC (Compact Model Council), en la búsqueda de convertirse en el nuevo modelo estándar de la industria electrónica.El CMC promueve la estandarización en el uso e implementación de modelos matemáticos que describan el comportamiento de los transistores, para facilitar el intercambio de diseños de circuitos.El consejo fue creado en 1996 y está formado por 27 compañías de semiconductores y proveedores de simuladores de circuitos. El CMC se encuentra en el proceso de seleccionar un sustituto para el estándar actual modelo de MOSFET, el cual será reemplazado antes de finalizar el año.
El modelo desarrollado por Philips y la institución educativa, se basa en una aproximación al potencial de la superficie a través de todo el régimen de operación, mientras que el actual modelo se basa en una descripción simplificada de dos regiones límites y técnicas matemáticas de aproximación entre los dos límites.El nuevo modelo fue denominado PSP, debido a que fue construido tomando como base el modelo MOS 11 de Philips y el modelo SP de la Universidad del Estado de Pensilvania.En la presentación de este modelo, se mencionó que PSP provee de una mejor descripción del comportamiento del dispositivo cuando opera a altas frecuencias, como por ejemplo los dispositivos de RF utilizados en una gran variedad de dispositivos inalámbricos.
embedFlash
Adicionalmente se señaló que no se incrementa sustancialmente la complejidad del modelo, gracias a la resolución de añejos problemas del modelaje de transistores, como la incorporación de la corriente de compuerta, el ruido inducido de la compuerta y los efectos estáticos."Creemos que nuestro modelo representa un significativo avance en el modelaje de transistores", dijo Gennady Gildenblat, profesor de ingeniería eléctrica de la Universidad del Estado de Pensilvania. "El nuevo modelo PSP predice de manejar más precisa el comportamiento del transistor a frecuencias de hasta 50GHz".
Asignatura: EES.
Alumno: Pedro Jose Contreras Urbina

300W FM amplifier with MOSFET technology


An ultra compact FM amplifier employing the latest RF techniques for an ultra-stable high effeciency design. This unit can be supplied with a universal input switched mode power supply. This can be used on any mains voltage system in the world. A built in heatsink and fan assembly provides more than adequate cooling to the unit ensuring 24 hour operation. On board harmonic filtering provides that needed reassurance that your signal is where it should be. With an attenuator it works perfectly with any exciter.
Supplied with a cooling fan for worry free 24 hour operation.
Technical specifications:- Power Output 300W - Power Input: 1W (1-10W with
this)- Harmonic Output -60dBc - Spurious Output -80dBc - Input Voltage (PA module) 48 volt 7.5 Amps - Input Voltage (Power supply) 90-270 VAC - Dimensions, PA 185mm x 100mm x 75mm (100mm inc 80mm fan)
If you need to drive this amplifier with more power, have a look at our attenuators
here. It will than be possible to drive this amplifier with any power level between 1W and 10W. Also do not forget that a small attenuator (1-3dB) is actually recommended as it ensures proper load to the driver in all conditions and increases stability of the entire system. Such attenuators are typically used in professional gear.
Asignatura: EES.
Alumno: Pedro Jose Contreras Urbina
Fuente:
http://www.neoteo.com/puente-h-con-mosfet-para-motores-cc.neo

Transceptor de potencia, el Mosquito de EA3FXF

El transceptor ideado por Joan (EA3FXF) denominado "el mosquito" tiene varias propuestas interesantes. La primera es utilizar un MOSFET de muy bajo costo como es el IRF510 como única etapa. En recepción operando como oscilador y mezclador, y en transmisión operando como oscilador y etapa de potencia capaz de entregar ~1W de potencia de salida. El segundo punto interesante es que fué diseñado para ser utilizado con una software de SDR, no hay etapas de audio en el transceptor mismo. Finalmente, el toque de ingenio de utilizar un transformador de 220V-12V como adaptador de impedancia. Es un diseño muy simple y facil de reproducir.

Asignatura: EES.
Alumno: Pedro Jose Contreras Urbina
Fuente:
http://lu7hz.blogspot.com/2009/11/transceptor-de-potencia-el-mosquito-de.html

Uso de amplificador usando MOSFET


Los componentes digitales puede utilizarse en combinación con un MOSFET como se muestra en el artículo de Paul Harrison (G4VAM) extraido de la revista SPRAT. Una señal de oscilador, para general la cual se puede utilizar el diseño anteriormente visto de N7KSB, alimenta un par de compuertas NAND. La primera de ellas está configurada como un inversor mientras que la segunda es utilizada para manipular la etapa siguiente. La etapa de potencia utiliza un MOSFET (IRF510 por ejemplo) cuya salida está filtrada por un pasabajos calculado para la frecuencia de trabajo. El valor de RFC no es crítico y debe ser tal que represente una reactancia de 500 Ohms o más a la frecuencia de trabajo. Este amplificador puede entregar 1 a 2 W sobre una carga de 50 Ohms.
Asignatura: EES.
Alumno: Pedro Jose Contreras Urbina

Transmisor QRP de un transistor MOSFET de OH1TV



En el sitio de Pekka (OH1TV) entre otros muchos diseños interesantes que vale la pena mirar se encuentra un transmisor de CW QRP basado en un único transistor MOSFET. Hay muchos proyectos de transmisores de un transistor para CW QRPp (es decir que tienen menos de 1W) pero para obtener potencias de 2 a 5W se recurre normalmente a una segunda etapa, o incluso una tercera, como en el caso de los diseños derivados del Pixie (de por si de dos etapas) a la cual se le agrega un PA para subir la potencia al rango de 2 a 5W. Lo interesante de este diseño es ver la técnica mediante la cual Pekka controla la realimentación de forma que la corriente que circula el cristal no lo dañe, tal como ocurriría si quisieramos generar un oscilador con un diseño convencional directamente en este nivel de potencia. El resto del circuito es bastante convencional, la manipulación puede hacerse opcionalmente en forma flotante o contra masa. A la salida un filtro pasabajos convencional asegura que la irradiación de armónicos sea aceptable.
Asignatura: EES.
Alumno: Pedro Jose Contreras Urbina
Fuente:
http://lu7hz.blogspot.com/2010/01/transmisor-qrp-de-un-transistor-mosfet.html

Puente H con MOSFET para motores CC

En la actualidad, para operar motores de CC permitiendo un funcionamiento de giro en ambos sentidos se utilizan, en la mayoría de los casos, circuitos con transistores MOSFET en lugar de las llaves genéricas SW1 a SW4 mencionadas con anterioridad. Algunos diseñadores prefieren utilizar transistores de canal P para los lados superiores y de canal N para los inferiores. La ventaja de este concepto de diseño es que las tensiones necesarias para activar los Gates de los transistores de canal P se podrán sacar directamente de la alimentación utilizada para el motor. Si por el contrario utilizamos transistores de Canal N en el lado superior de la H, la tensión necesaria para activar los Gates deberá provenir de un elevador de tensión que funcione por encima del valor nominal de alimentación del motor. Observemos la siguiente imagen para comprender este concepto:
Los interruptores reemplazados por transistores MOSFET dentro del puente H y la circulación de corriente para lograr los dos sentidos de giro.Para obtener un sentido de giro determinado (cualquiera), tal como habíamos analizado en los ejemplos iniciales, los transistores MOSFET IRFZ44N mostrados en imagen deberán comportarse como verdaderas llaves conmutadoras. Tal como se desprende de la hoja de datos del transistor empleado, para que este tipo de transistor MOSFET de canal N conduzca a pleno, ofreciendo la menor resistencia entre Drain y Source, la tensión de Gate respecto a Source deberá ser más positiva y el orden de los 2 a 4 Volts. Si asumimos que el transistor Q1 (en un sentido de giro) y Q3 (en el otro sentido de giro) ofrecen la mínima resistencia, el potencial de 12 Volts que alimenta los Drains respectivos pasará (según el giro seleccionado) hacia el motor, tal como muestra la figura superior.
Pero volviendo sobre la teoría, para que en el Source existan los 12Volts, en el Gate debemos aplicar una tensión entre los 14 y los 16 Volts, es decir, 2 a 4 Volts por sobre el Source. De lo contrario, la tensión necesaria para activar el transistor a la máxima conducción se descontará de la tensión de alimentación y al motor le llegarán 10 Volts o menos. De este modo, tendremos una máxima circulación de corriente a través de Drain – Source para hacer girar el motor al máximo, con una diferencia de potencial de 2 Volts o más entre estos dos terminales del transistor. Esto equivale, según la fórmula de potencia, que 2 Volts multiplicados por la máxima corriente del motor será una potencia que disipará en forma de calor en el transistor. Cuanto mayor sea la corriente para hacer funcionar el motor, mayor será el calor generado por los transistores, ergo, mayor será el tamaño de los disipadores. Esto, por supuesto, hablará muy mal del diseñador del circuito quien nunca comprenderá por qué calientan tanto los transistores de las ramas superiores.

Asignatura: EES.
Alumno: Pedro Jose Contreras Urbina

sábado, 26 de junio de 2010

MOSFET de potencia para aumentar la eficiencia en fuentes de alimentación

Los últimos avances tecnológicos permiten alcanzar la mínima resistencia Rds(on) de la industria, en aplicaciones MOSFET OR-ing



STMicroelectronics anuncia un nuevo MOSFET de potencia, el STV3000NH02L, desarrollado con una tecnología innovadora, ribbon-bonding que logra una Rds(on) típica de 800 micro-ohmios (0.8 mΩ), para reducir las pérdidas e incrementar la eficiencia en las fuentes de alimentación. Este nuevo dispositivo, de canal N, de elevada corriente, está particularmente indicado para fuentes de alimentación con configuración en paralelo, usadas para aumentar la fiabilidad del sistema en aplicaciones con servidores.
El nuevo transistor de 20 V, que también es ideal para reducir las pérdidas de rectificación secundaria en convertidores DC-DC de alta eficiencia, ofrece una excelente protección ante situaciones de cortocircuito, con un tiempo de desconexión muy bajo.
La configuración en paralelo de fuentes de alimentación suele ser utilizada para ofrecer redundancia en sistemas críticos o incrementar la capacidad. Originalmente, se usaron diodos para esta función, pero fueron reemplazados por MOSFET para lograr mayores prestaciones. Ahora, la mínima pérdida del STV300NH02L supone un nuevo paso adelante en la eficiencia de fuentes de alimentación.
más info.

Asignatura: EES.
Alumno: Pedro Jose Contreras Urbina
Fuente: http://www.elektor.es/noticias/mosfet-de-potencia-para-aumentar-la-eficiencia-en.374049.lynkx

Iniciación a los Mosfet, uso en airsoft.




Aplicaciones:

La forma más habitual de emplear transistores MOSFET es en circuitos de tipo CMOS, consistentes en el uso de transistores pMOS y nMOS complementarios. Véase Tecnología CMOS

Las aplicaciones de MOSFET discretos más comunes son:


•Resistencia controlada por tensión.


•Circuitos de conmutación de potencia (HEXFET, FREDFET, etc).


•Mezcladores de frecuencia, con MOSFET de doble puerta.


Ventajas:

La principal aplicación de los MOSFET está en los circuitos integrados, p-mos, n-mos y c-mos, debido a varias ventajas sobre los transistores bipolares:


•Consumo en modo estático muy bajo.


•Tamaño muy inferior al transistor bipolar (actualmente del orden de media micra).


•Gran capacidad de integración debido a su reducido tamaño.


•Funcionamiento por tensión, son controlados por voltaje por lo que tienen una impedencia de entrada muy alta. La intensidad que circula por la puerta es del orden de los nanoamperios.


•Un circuito realizado con MOSFET no necesita resistencias, con el ahorro de superficie que conlleva.


•La velocidad de conmutación es muy alta, siendo del orden de los nanosegundos.


•Cada vez se encuentran más en aplicaciones en los convertidores de alta frecuencias y baja potencia.
Asignatura: EES.
Alumno: Pedro Jose Contreras Urbina
Fuente: http://aeronuts.foroactivo.com/novedades-f15/iniciacion-a-los-mosfet-uso-en-airsoft-t130.htm

MOSFET: Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor






MOSFET significa "FET de Metal Oxido Semiconductor" o FET de compuerta aislada

Es un tipo especial de transistor FET que tiene una versión NPN y otra PNP.

El NPN es llamado MOSFET de canal N y el PNP es llamado MOSFET de canal P.

Una delgada capa de material aislante formada de dióxido de silicio (SiO2) (también llamada "sílice" o "sílica") es colocada del lado del semiconductor y una capa de metal es colocada del lado de la compuerta (GATE) (ver la figura)

En el MOSFET de canal N la parte "N" está conectado a la fuente (source) y al drenaje (drain)
En el MOSFET de canal P la parte "P" está conectado a la fuente (source) y al drenaje (drain)

En los transistores bipolares la corriente que circula por el colector es controlada por la corriente que circula por la base. Sin embargo en el caso de los transistores FET, la corriente de salida es controlada por una tensión de entrada (un campo eléctrico). En este caso no existe corriente de entrada.

Los transistores MOSFET se pueden dañar con facilidad y hay que manipularlos con cuidado. Debido a que la capa de óxido es muy delgada, se puede destruir con facilidad si hay alta tensión o hay electricidad estática.



Asignatura: EES.
Alumno: Pedro Jose Contreras Urbina
Fuente: http://www.unicrom.com/tut_MOSFET.asp

domingo, 21 de marzo de 2010

New 250-V N-Channel TrenchFET(R) Power MOSFETs

Vishay's New 250-V N-Channel TrenchFET® Power MOSFETs Offer Up to 50% Improved On-Resistance in SO-8 and D2PAK Footprints
SANTA CLARA, CALIFORNIA — January 28, 2004 — Siliconix incorporated (NASDAQ: SILI), an 80.4%-owned subsidiary of Vishay Intertechnology, Inc. (NYSE: VSH), today released a trio of 250-V n-channel TrenchFET® power MOSFETs that offer the lowest on-resistance available in the SO-8, PowerPAK® SO-8, and D2PAK packages for this voltage rating.

The Si4434DY (LITTLE FOOT® SO-8), Si7434DP (PowerPAK SO-8), and SUM45N25-58 (D2PAK) are designed to serve as primary switches in dc to dc converters, including forward converters and half-bridge converters, as well as in ac-to-dc converters and inverters, for telecom power supplies, distributed architectures, and miniature power modules.

The new devices offer greatly improved on-resistance values compared with competing devices of the same size. The Si4434DY and Si7434DP both feature a maximum on-resistance value of 155 mΩ at a 10-V gate drive and typical gate charge value of 34 nC. In the low-thermal-resistance D2PAK package, the SUM45N25-58 features on-resistance on 58 mΩ, a gate charge value of 95 nC, and a maximum junction temperature rating of 175 °C.

Samples and production quantities of the 250 V Si4434DY, Si7434DP, and SUM45N25-58 n-channel power MOSFETs are available now, with lead times of 10 to 12 weeks for larger orders.

Siliconix is a leading manufacturer of power MOSFETs, power ICs, analog switches, and multiplexers for computers, cell phones, fixed communications networks, automobiles, and other consumer and industrial electronic systems. With 2002 worldwide sales of $372.9 million, the Company's facilities include a Class 1 wafer fab dedicated to the manufacture of power products in Santa Clara, California, and an affiliated Class 1 wafer fab located in Itzehoe, Germany. The Company's products are also fabricated by subcontractors in Japan, Germany, China, and Taiwan. Assembly and test facilities include a company-owned facility in Taiwan, a joint venture in Shanghai, China, and subcontractors in the Philippines, China, Taiwan, Israel, and the United States.


Vishay Intertechnology, Inc., a Fortune 1,000 Company listed on the NYSE (VSH), is one of the world's largest manufacturers of discrete semiconductors (diodes, rectifiers, MOSFETs, optoelectronics, and selected ICs) and passive electronic components (resistors, capacitors, inductors, sensors, and transducers). These components are used in virtually all types of electronic devices and equipment, in the industrial, computing, automotive, consumer, telecommunications, military, aerospace, and medical markets. Its product innovations, successful acquisition strategy, and "one-stop shop" service have made Vishay a global industry leader. Vishay can be found on the Internet at http://www.vishay.com

Asignatura: EES.
Alumno: Juan José Núñez Ceballos
Fuente: http://www.vishay.com/company/press/releases/2004/040128mosfets/
Reflexión: Como no amar a Dios con tanta bendición que quiere dar... [Jn14:15] Él te dará el perdòn a todos tus pecados y su Santo Espíritu cuando obedezcas su Evangelio(Lo dice la Biblia, no yo!!!).

Siliconix Targets Automotive 12-V Boardnet With New P-Channel -40-V and -60-V TrenchFET(R) Power MOSFETs

Up to 90% Lower On-Resistance Than Industry's Next-Best Devices.
SANTA CLARA, CALIFORNIA — March 29, 2004 — Automotive 12-V boardnet high-side switches and electric motor drives are the target applications for a record-setting family of p-channel MOSFETs announced today by Siliconix incorporated (NASDAQ: SILI), an 80.4%-owned subsidiary of Vishay Intertechnology, Inc. (NYSE: VSH).

The new −40-V and −60-V devices are the first with these breakdown voltage ratings to be built using Vishay's advanced p-channel technology, which reduces MOSFET on-resistance to record-low levels. Maximum rDS(on) ratings range from 15 mΩ down to 4.2.mΩ for the six devices released today.

Because p-channel MOSFETs require no additional high-side driver circuitry for turn-on, these new −40-V and −60-V TrenchFETs will help designers to reduce component count and improve reliability in automotive and industrial systems compared with n-channel solutions.

When used to replace previous-generation p-channel devices, the new TrenchFETs give designers the opportunity to lower system power consumption as well. Compared with the next-best p-channel MOSFETs on the market with the same voltage ratings and package outlines, conduction losses for the new devices are reduced by up to 90%.

Package options for the −40-V devices are the standard DPAK (SUD50P04-09L), the thermally enhanced D2PAK (SUM110P04-04L), and the lead-less, 1.07 mm-high PowerPAK® SO-8 (Si7463DP). The −60-V TrenchFETs also are offered in the DPAK (SUD50P06-15L), the thermally enhanced D2PAK (SUM110P06-07L), and PowerPAK SO-8 (Si7461DP). The DPAK and D2PAK devices are rated for a maximum junction temperature of 175 °C, while the PowerPAK SO-8 TrenchFETs are rated for up to 150 °C.

Summary of Device Specifications

Samples and production quantities of the new p-channel TrenchFET power MOSFETS are available now with lead times of 10 to 12 weeks for larger orders.

Vishay Intertechnology, Inc., a Fortune 1,000 Company listed on the NYSE (VSH), is one of the world's largest manufacturers of discrete semiconductors (diodes, rectifiers, MOSFETs, optoelectronics, and selected ICs) and passive electronic components (resistors, capacitors, inductors, sensors, and transducers). These components are used in virtually all types of electronic devices and equipment, in the industrial, computing, automotive, consumer, telecommunications, military, aerospace, and medical markets. Its product innovations, successful acquisition strategy, and "one-stop shop" service have made Vishay a global industry leader. Vishay can be found on the Internet at http://www.vishay.com.

Asignatura: EES.
Alumno: Juan José Núñez Ceballos
Fuente: http://www.vishay.com/company/press/releases/2004/040329mosfets/
Reflexión: Sin embargo comenzaremos a alcanzar la sabiduría dívina(celestial, del cielo) cuando comencemos a temer(respetar, honrar, obedecer) a Dios[Pr1:7] y la salvaciòn cuando creamos y obedezcamos el Evangelio de Cristo[Mr16:15-16] ambos puntos deben ir de la mano.

New TrenchFET(R) MOSFETs Break Performance Records in Tiny LITTLE FOOT(R) SC-89 and SC-75 Packages

SANTA CLARA, CALIFORNIA-May 24, 2001-A series of new TrenchFETs that set records for on-resistance in the tiny LITTLE FOOT® SC-89 and SC-75 packages were announced today by Siliconix incorporated (NASDAQ: SILI), an 80.4%-owned subsidiary of Vishay Intertechnology (NYSE: VSH). The smallest MOSFETs on the market, the new devices will serve as a power-efficient replacement for the digital bipolar transistors used for simple or light-load switching in portable communications systems, computer motherboards, power supply converter circuits, and battery-operated equipment.

Devices in the 3-pin LITTLE FOOT SC-89, with a footprint area measuring 1.6 mm by 1.6 mm and a height profile of just 0.6-mm, include the Si1012X, a single n-channel 20-V TrenchFET with on-resistance of just 1.25 ohms at a 1.8-V gate drive-76% lower than any competing device in the same

Fully on at a gate-source voltage of 1.8 V, the Si1012X requires significantly less power to operate than the digital bipolar transistors it will replace. The new device further improves on existing industry standards with a 500-mA steady state continuous drain current (TA=25°C) that offers an improvement of as much as 66% over competing devices, making it suitable for a wide range of low supply voltage applications. A 5-ns turn-on time, which lowers circuit timing delays, also sets a record for this package type and is nearly four times faster than the nearest competitor.

Also released today was a dual-channel version of the same device. The new Si1024X combines two MOSFETs in a 6-pin LITTLE FOOT SC-89 package with the same specifications per channel as the Si1012X and the same footprint and height profile as the 3-pin SC-89.

With a height profile that is 45% thinner than the SOT-23 and SC-70 formats, the new SC-89 LITTLE FOOT MOSFETs allow small to medium loads to be switched with maximum efficiency in even the thinnest mobile communications and computing products.

Along with the Si1012X and Si1024X, Vishay Siliconix will soon release more than a dozen additional 20-V MOSFETs in the SC-89 and SC-75 packages, including n- and p-channel devices. Maximum on-resistance ratings for these devices will range from 0.7 Ω to 9 Ω at a gate-source voltage of ±4.5 V. All devices in both package types feature ESD protection to reduce the risk of electrostatic damage during handling.

Samples of the Si1012X and Si1024X are available now. Production quantities will be available in Q1 2001, with lead times of four weeks for larger orders.


Vishay Intertechnology, Inc., a Fortune 1,000 Company listed on the NYSE (VSH), is one of the world's largest manufacturers of discrete semiconductors (diodes, rectifiers, MOSFETs, optoelectronics, and selected ICs) and passive electronic components (resistors, capacitors, inductors, sensors, and transducers). These components are used in virtually all types of electronic devices and equipment, in the industrial, computing, automotive, consumer, telecommunications, military, aerospace, and medical markets. Its product innovations, successful acquisition strategy, and "one-stop shop" service have made Vishay a global industry leader. Vishay can be found on the Internet at http://www.vishay.com.

Asignatura: EES.
Alumno: Juan José Núñez Ceballos
Fuente: http://www.vishay.com/company/press/releases/2001/010524trenchfet/
Reflexión: A veces resulta un poco difícil confiar de lleno en lo que dicen la Santa Palabra al ver tanta manipulaciòn de estas, fraudes, interpretaciones, pero se hace notorio entender que estas no se interpretan [2Pe1:20]