Enviado por Redacción el Mié, 01/07/2009 - 07:56.
International Rectifier ha introducido una serie de Mosfet de potencia Hexfet tipo zanja (trench) de canal N y de 25V y 30V caracterizados por sus prestaciones mejoradas en conmutación para convertidores reductores (buck) síncronos y protección de baterías. La nueva familia de Mosfet utiliza la tecnología de silicio de IR para proporcionar los mejores valores de resistencia en conducción (RDS(on)) y unas prestaciones en conmutación mejoradas.
International Rectifier ha introducido una serie de Mosfet de potencia Hexfet tipo zanja (trench) de canal N y de 25V y 30V caracterizados por sus prestaciones mejoradas en conmutación para convertidores reductores (buck) síncronos y protección de baterías. La nueva familia de Mosfet utiliza la tecnología de silicio de IR para proporcionar los mejores valores de resistencia en conducción (RDS(on)) y unas prestaciones en conmutación mejoradas.Las bajas pérdidas en conducción de los dispositivos mejoran la eficiencia a plena carga y la respuesta térmica mientras que las bajas pérdidas en conmutación ayudan a lograr una elevada eficiencia incluso con pequeñas cargas.
Los nuevos Mosfet también se suministran en un encapsulado Power QFN para mejorar la densidad de potencia si se compara con un encapsulado SO-8 manteniendo la misma configuración de patillas. Dependiendo de la aplicación, los Mosfet dobles SO-8 permiten un cambio de 'dos por uno' para reducir el número de componentes.
Hay disponibles Mosfet de canal N en versiones con sencilla y doble. Los dispositivos sencillos se suministran en un encapsulado PQFN de 5x6mm y 3x3mm optimizado para la producción en gran volumen además de los encapsulados D-PAK, I-PAK y SO-8, mientras que los dispositivos dobles se suministran en un encapsulado SO-8. Los nuevos dispositivos son conformes a RoHS y se pueden suministrar libres de Halógenos.
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