Operación y construcción del MOSFET

En esta sección, se considera el FET de metal –óxido semiconductor (MOSFET). Este FET se construye con la terminal de compuerta aislada del canal con el dielectrico dióxido de silicio (SiO2), y ya sea en modo de empobrecimiento o bien de enriquecimiento. Estos dos tipos se definen a continuación



MOSFET de empobrecimiento

Las construcciones de los MOSFET de empobrecimiento de canal n y de canal p. En cada una de estas figuras se muestra la construcción, el simbolo, la caracteristica de transferencia y las caracteristicas iD-vGS. El MOSFET de empobrecimiento se construye para el de canal n  con un canal fisico construido entre el drenaje y la fuente. Como resultado de ello, existe una iD entre drenaje y fuente cuando se aplica una tension, vDS.

El MOSFET de empobrecimiento de canal n  se establece en un sustrato p, que es silicio contaminado de tipo p. Las regiones contaminadas de tipo n de la fuente y el drenaje forman conexiones de baja resistencia entre los extremos del canal n y los contactos de aluminio de la fuente (S) y el drenaje (D). Se hace crecer una capa de SiO2, que es un aislante, en la parte superior del canal n. Se deposita una capa de aluminio sobre el aislante de SiO2 para formar el material de compuerta (G). El desempeño del MOSFET de empobrecimiento, es similar al del JFET. El JFET se controla por la unión pn entre la compuerta y el extremo de drenaje del canal. No existe dicha unión en el MOSFET enriquecimiento, y la capa de SiO2 actúa como aislante. Para el MOSFET de canal n, una vGS negativa saca los electrones de la región del canal, empobreciéndolo. Cuando vGS alcanza VP, el canal se estrangula. Los valores positivos de vGS aumentan el tamaño del canal, dando por resultado un aumento en la corriente de drenaje.


MOSFET de enriquecimiento

El MOSFET de enriquecimiento difiere del MOSFET de empobrecimiento en que no tiene la capa delgada de material n sino que requiere de una tension positiva entre la compuerta y la fuente para establecer un canal. Este canal se forma por la acción de una tension positiva compuerta a fuente, vGS, que atrae electrones de la región de sustrato ubicada entre el drenaje y la compuerta contaminados de tipo n. Una vGS positiva provoca que los electrones se acumulen en la superficie inferior de la capa de oxido. Cuando la tensión alcanza el valor de umbral, VT, han sido atraidos a esta región los electrones suficientes para que se comporte como canal n conductor. No habra una corriente apreciable iD hasta que vGS excede VT.

Nombre: Orozco Quiroz Deivid G.

Asignatura: E.E.S

Fuente:www.monografias.com

 

 

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