Los MOSFET de acumulación
Pasos para la fabricación de un transistor MOSFET
Partiendo de un sustrato tipo N se forma sobre su superficie una fina capa de óxido. Empleando las técnicas de máscaras y corrosión se practican dos aberturas en dicha capa de óxido, a través de las cuales se difundirán impurezas tipo P. Con estas etapas de fabricación se llega al estado representado en la ilustración correspondiente. Las dos regiones P constituyen la fuente y el drenaje. Se forma una capa de óxido de mayor espesor sobre la superficie, en la que se practican tres aperturas mediante una segunda aplicación de las técnicas de máscara y corrosión; se añade, encima, una fina capa de SiO2, para el óxido de puerta. Con una tercera máscara se elimina el óxido que cubre las regiones de fuente y drenaje. Seguidamente, se cubre con aluminio vaporizado toda la superficie. Una última corrosión con máscara elimina el aluminio sobrante para suprimir las interconexiones entre fuente, puerta y drenaje.
MOSFET de acumulacíón con canal tipo P
Para analizar el funcionamiento de este tipo de transistores conectamos a tierra el sustrato y la fuente, es decir, hacemos que la tensión entre fuente y drenaje sea cero, y aplicamos una tensión negativa a la puerta. Se creará un campo eléctrico perpendicular al óxido, el cual inducirá cargas positivas junto a la superficie del semiconductor. Como el sustrato tipo N contiene muy pocos huecos, las cargas positivas superficiales son principalmente huecos procedentes de la fuente y el drenaje tipo P. Estas cargas móviles, que son portadores minoritarios en el sustrato, forman una capa de inversión sólo si la tensión fuente - puerta supera el nivel umbral. A medida que la tensión negativa de puerta sube por encima del umbral, las cargas positivas inducidas en el conductor también crecen. La región debajo del óxido es ahora un canal P, la conductividad aumenta y circula corriente desde la fuente al drenaje a través del canal inducido al aplicar un potencial negativo de drenaje y fuente. Por tanto, la corriente de drenaje se intensifica con la tensión negativa de puerta, por lo que el dispositivo recibe el nombre de MOSFET de acumulación.
Los MOSFET de deplexión
Si en la estructura básica de un transistor MOSFET se difunde un canal entre fuente y drenaje, con el mismo tipo de impurezas empleadas en la difusión de las propias fuente y drenaje, se obtiene el MOSFET de deplexión. Consideremos la estructura de canal N mostrada en la ilustración correspondiente. Si la tensión fuente-drenaje es positiva, circulará una apreciable corriente de drenaje para un tensión de puerta-fuente de cero voltios.
MOSFET de deplexión con canal tipo N
Si la tensión de puerta se hace negativa, se inducen cargas positivas en el canal a través del óxido del condensador de puerta. Puesto que la corriente en un transistor de efecto de campo es debida a los portadores mayoritarios (electrones en un material tipo N), las cargas inducidas positivas hacen el canal menos conductor y la corriente de drenaje cae cuando la tensión puerta - fuente se va haciendo más negativo. La redistribución de las cargas en el canal provoca una deplexión o debilitamiento efectivo de portadores mayoritarios, de ahí su nombre: "MOSFET de deplexión".
Nombre:Orozco Quiroz Deivid G.
Asignatura:E.E.S.
Fuente:www.angelfire.com
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